1、电压负载

在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-源极电压小于器件规格的标称漏极-源极中断电压的90%。就是：

VDS_peak≤90%* V(BR)DSS

注意：通常，V(BR)DSS的温度系数为正。因此，应将其用作器件最低工作温度下的V(BR)DSS值的参考。

2、损耗和散热

Ron值小有利于减少传导过程中的损耗，Rth值小有利于散热，因为它可以减小温度差(在相同的功耗条件下)。

3、漏极电流

接下来，考虑漏极电流的选择。基本原理是，在实际工作环境中，MOSFET的最大周期性漏极电流为指定的最大漏极-源极电流的90%或更少，最大漏极脉冲电流为指定的标称漏极脉冲电流峰值的90%或更少。即：

ID_max≤90%* ID

ID_pulse≤90%* IDP

注意：温度系数ID_max和ID_pulse通常为负。因此，请使用最高结温时设备的ID_max和ID_pulse值作为参考。高性能直流稳压电源的此参数选择非常不确定，这主要是由于工作环境，散热技术和其他设备参数(电阻，热阻等)的相互限制。最终决定将基于结温(即下文第6条“功率耗散限制”)。经验表明，在实际应用中，功率损耗和温度上升的极限值导致规格ID为实际最大工作电流的倍数。在预计算期间，必须根据第6节中的功率损耗限制连续调整此参数。建议第一选择为3-5倍ID =(3-5)* ID_max。

4、功率损耗首次计算

计算MOSFET损耗有八个主要部分：

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs + Pd_f + Pd_recover

详细公式应根据具体电路和工作条件确定。例如，同步整流应用还应考虑体二极管的正向导通期间的损耗以及在关闭转向时的反向恢复损耗。

5、驱动要求

MOSFEF的驱动器要求由总网络费用(Qg)的参数确定。如果满足其他参数要求，请尝试选择较小的Qg，以简化驱动电路设计。选择驱动电压以使Ron尽可能低，只要它不接近最大栅极-源极电压(VGSS)(通常使用器件规范建议)即可。

6、耗散功率约束

直流稳定的高性能电源设备的最大稳态功率损耗PD应基于设备工作转变温度的最高温度限制。如果预先知道设备的工作环境温度，则最大功耗可以估算如下。

PD，max≤(Tj，max-Tamb)/Rθj-a

其中，Rθj-a是从器件结到其工作环境的总热阻，包括Rθ结壳，Rθcase下沉，Rθsink环境等。如果在两者之间有绝缘材料，则应考虑热阻。

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